用于半导体抛光的自适应气压控制方法

本申请提供了用于半导体抛光的自适应气压控制方法，涉及抛光控制技术领域，该方法包括：获取化学机械抛光设备的级联气压控制模块；构建待加工半导体晶片的原始三维模型和预设抛光目标三维模型；进行空间对齐拟合，生成待抛光模型；进行多点位的抛光需求进行邻域聚类；基于多个聚类区域和抛光需求标识信息，结合预设抛光液信息，进行抛光气压寻优，得到多个聚类区域的多个最优抛光气压参数；基于第一气压调节器，按照多个最优抛光气压参数生成气压控制信号进行抛光控制，并通过第二气压调节器进行反馈优化控制。通过本申请可以解决现有技术中由于抛光参数设置不够精确的技术问题，达到提高半导体抛光精确度和效率的技术效果。