一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法。其技术方案以下步骤：步骤1，提供一种热膨胀系数接近硅材料的高热导率铜钼合金基板；步骤2，将IGBT芯片通过压焊工艺中的银烧结技术键合至所述基板的上表面；步骤3，采用多点均压布线结构实现多个芯片的电流并联分布，其中每一芯片路径都进行热阻与电阻耦合设计；步骤4，封装过程中引入基于位置相关变系数的热阻调节方法；步骤5，通过等离子体处理对芯片表面进行钝化处理，并使用低应力模塑封装材料完成结构固化。本发明通过铜钼梯度基板与均流封装结构的协同设计，实现了热应力缓释、电流均衡及界面可靠性的提升，增强超大电流IGBT芯片的封装性能与使用寿命。