一种基于LoFTR的半稠密亚像素位移测量方法

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一种基于LoFTR的半稠密亚像素位移测量方法
申请号:CN202510655940
申请日期:2025-05-21
公开号:CN120689383A
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于LoFTR的半稠密亚像素位移测量方法,该方法包括利用改进后的相机对目标结构进行正面拍摄,得到相应的图像,并对该图像进行预处理,得到匹配对;利用LoFTR匹配框架对匹配对进行处理,在帧对之间建立半稠密的关键点匹配关系,得到特征点匹配集;基于特征点匹配集,利用RANSAC算法和线性插值方法,确定目标结构的亚像素级相对位移,完成亚像素位移的测量。本发明在纹理丰富及缺乏纹理的表面均能够实现较高精度的半稠密亚像素位移测量。
技术关键词
RANSAC算法 线性插值方法 特征点 像素 修正偏差 表达式 密封防尘结构 感兴趣区域图像 坐标系 双三次插值 相机校准 相机外壳 减振材料 关键点 处理器 关系
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