带有氧化铌热增强层的氧化铪基RRAM及应用

本发明公开带有氧化铌热增强层的氧化铪基RRAM及应用，属于半导体存储器件领域；带有氧化铌热增强层的氧化铪基RRAM由上至下依次包括：顶部电极、氧化铌层、HfO2层、HfOx层以及底部电极，通过在氧化铪基RRAM中插入氧化铌热增强层，从而能够降低forming电压和工作温度，也增大了存储窗口，并能够在forming过程中，对导电细丝的生长方向进行有效的控制；还能够在reset过程中，对导电细丝的断裂点进行有效的调控。