基于高能粒子的DDR4 SDRAM固定位错误试验方法与装置

本发明涉及基于高能粒子的DDR4SDRAM固定位错误试验方法与装置，方法包括：S1、获取DDR4SDRAM样本器件，选取目标辐射源、辐照能量；S2、根据目标辐射源、辐照能量，从初始粒子注量对样本器件进行辐照；S3、判断辐照之后的样本器件是否出现固定位错误，若未出现固定位错误，则根据初始粒子注量增加粒子注量对样本器件进行辐照，重复S3，若出现固定位错误，则记录达到损伤阈值的粒子注量并确定固定位错误数量；S4、对样本器件进行退火曲线测量，并根据达到损伤阈值的粒子注量，获取退火曲线，根据损伤阈值和退火曲线确定最优器件。本发明能够对DDR4SDRAM固定位错误进行有效的评估。