深紫外Micro-LED芯片及其制备方法

本申请公开了深紫外Micro‑LED芯片及其制备方法，该深紫外Micro‑LED芯片包括基底，基底包括第一区域和环绕第一区域设置的第二区域；第一区域内和第二区域内包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、离位溅射AlN成核层、AlN缓冲层模板、AlN子层与AlxGa1‑xN子层交替排布的超晶格应力释放缓冲层、n‑AlyGa1‑yN过渡层、n‑AlzGa1‑zN电子发射层；第一区域内还包括：位于n‑AlzGa1‑zN电子发射层远离n‑AlyGa1‑yN过渡层一侧的层叠设置的AltGa1‑tN子层与AlmGa1‑mN子层交替排布的多量子阱有源层、p‑AlnGa1‑nN电子阻挡层、p‑AlkGa1‑kN空穴发射层和Mg掺杂的p‑GaN欧姆接触层；该深紫外Micro‑LED芯片还包括n型电极、p型电极、p型电极反射镜、钝化层、p型金属焊盘和n型金属焊盘。由此，该深紫外Micro‑LED芯片具有较低的接触电阻和较高的反射率，可极大程度上提升深紫外Micro‑LED的光提取效率。