摘要
本发明涉及一种集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法,基波谐振器和谐波谐振器为厚度延伸振动模式的谐振器,基波谐振器和谐波谐振器单晶集成于单个芯片上,基波谐振器和谐波谐振器的堆栈声学相位长度hph趋近于πn,n为谐波阶次,基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度趋近于π(n‑1)。本发明通过在基波谐振器区域和谐波谐振器区域设置不同厚度的介电层,使基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度为π(n‑1),将基波谐振器和谐波谐振器集成到单个芯片上,从而实现更宽的频率范围和更合适的机电耦合。
技术关键词
谐波
厚度延伸振动模式
电极
反射镜
薄膜体声波谐振器
介电层
声波滤波器
串联谐振器
氮化铝
频率调谐
芯片
单晶
种子层
参数
晶圆
系统为您推荐了相关专利信息
电能表数据
动态资源调度
诊断方法
时序特征
谐波畸变率
输入信号处理电路
电极液位传感器
汽车冷却液
电压基准电路
信号检测电路
合金镀层
性能调控方法
多尺度数值
离子液体电解液
电沉积参数