集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法

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集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法
申请号:CN202510663533
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120185576B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种集成基波谐振器和谐波谐振器的滤波器及其制作方法,基波谐振器和谐波谐振器为厚度延伸振动模式的谐振器,基波谐振器和谐波谐振器单晶集成于单个芯片上,基波谐振器和谐波谐振器的堆栈声学相位长度hph趋近于πn,n为谐波阶次,基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度趋近于π(n‑1)。本发明通过在基波谐振器区域和谐波谐振器区域设置不同厚度的介电层,使基波谐振器和谐波谐振器的介电层声学相位长度为π(n‑1),将基波谐振器和谐波谐振器集成到单个芯片上,从而实现更宽的频率范围和更合适的机电耦合。
技术关键词
谐波 厚度延伸振动模式 电极 反射镜 薄膜体声波谐振器 介电层 声波滤波器 串联谐振器 氮化铝 频率调谐 芯片 单晶 种子层 参数 晶圆
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