封装结构及其形成方法

本申请公开了一种封装结构及其形成方法，该形成方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括相对的第一键合面和第一背面，第一晶圆包括若干第一正常晶粒和至少一个第一缺陷晶粒；刻蚀部分第一键合面，在第一缺陷晶粒上形成第一凹槽；提供第二晶圆，第二晶圆包括相对的第二键合面和第二背面，第二晶圆包括若干第二正常晶粒；将第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面键合，使得第一正常晶粒与对应的第二正常晶粒键合，而第一缺陷晶粒由于第一凹槽的存在不会与对应的第二正常晶粒键合；对键合后的第一晶圆和第二晶圆进行分割，形成若干分立的芯片堆叠结构，并得到分离的至少一个第一缺陷晶粒和与第一缺陷晶粒对应的至少一个第二正常晶粒。提高了良率，降低了成本。