一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统

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一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统
申请号:CN202510669112
申请日期:2025-05-23
公开号:CN120214069B
公开日期:2025-08-22
类型:发明专利
摘要
本发明属于芯片检测技术领域,公开一种半导体晶圆表面的芯片检测方法及系统,该方法包括:将电磁特征向量作为正样本指令信号,构建正样本数据库;扫描待测半导体晶圆表面芯片的电磁辐射信号,并在对电磁辐射信号实施加窗分帧处理后输出待匹配电磁辐射信号;将待匹配电磁辐射信号上传至正样本数据库进行区域截取处理,测量截取结果与正样本数据库任意正样本指令信号之间的距离,获取芯片电磁状态检测结果;模拟芯片阻抗不匹配情况,并根据模拟结果生成反射信号缺陷定性集合;匹配待测半导体晶圆表面芯片的缺陷,与芯片电磁状态检测结果结合预测待测半导体晶圆表面芯片的寿命。本发明可根据电磁反射信号,可检测芯片非表面、非显性的缺陷。
技术关键词
半导体晶圆表面 芯片检测方法 生成反射信号 特征提取算法 近场探头技术 样本 电磁 分析半导体晶圆 序列 多形式 芯片检测系统 特征值 芯片检测技术 指令 校正 频率 形态 特征提取模块
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