可重构MRAM PUF单元、芯片及方法

本发明提出一种可重构MRAM PUF单元、芯片及方法，包括至少两个磁隧道结，将两个磁隧道结进行串联形成串联结构，将串联结构两端分别通过偏置管连接写入电路形成两个电压节点，两个电压节点分别通过开关连接电源电压和地；晶体管七和晶体管八串联，将晶体管八的输入端和晶体管七的输出端分别连接位线和地；反相器连接电源电压和地，将串联结构中间节点的输出电压作为反相器的控制电压，反相器的输出电压作为晶体管七的控制电压，晶体管八通过字线进行控制。本发明利用亚阈值晶体管和磁隧道结放大由工艺偏差引起的电压偏差，以产生可靠的PUF响应，并通过休眠模式降低PUF单元的功耗，还可以通过重构模式提升PUF的可靠性。