MOCVD反应腔室压力控制方法及装置

本发明提供一种MOCVD反应腔室压力控制方法及装置，属于半导体气相沉积技术领域，本发明的MOCVD反应腔室压力控制方法，通过实时采集对MOCVD反应时反应腔室外的运行参数，并与更新后的对照表进行对比，可以避免这些间接参数存在的延时性影响，可在反应过程中准确捕捉反应异常特征，无需在反应腔室内设置额外在线成分分析设备，就能实现对反应中工艺波动等异常事件的识别，进而可实现早期异常识别、动态补偿和工艺稳定性提升，从而显著降低薄膜厚度和成分的不均匀度、减少缺陷率、提升良率，并降低设备与运行成本。