一种氧化镓芯片通孔设计方法、氧化镓芯片及制备方法

本发明公开了一种氧化镓芯片通孔设计方法、氧化镓芯片及制备方法，所述设计方法包括，对氧化镓芯片进行电学、传热和力学分析，构建多物理场模型；根据多物理场模型对氧化镓芯片进行设计优化，得到优化后的参数。本发明通过构建多物理场模型对氧化镓芯片的结构进行设计优化，实现了氧化镓芯片的高频信号传输损耗降低、散热效率提升的突破性优化。基于本发明的设计方法，能够显著提高氧化镓芯片在高频信号传输、热管理和长期可靠性方面的综合性能，具有重要的工业应用价值和推广前景。