检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法

本发明公开了检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法，涉及可控硅测试领域，该测试装置包括：整流控制切换单元，用于将正弦交流电整流为半波直流电后，控制驱动信号的延迟时间，并根据控制结果为被测可控硅提供信号，切换被测可控硅的工作象限；被测可控硅，用于为整流控制切换单元与通断控制切换单元提供测试基础的器件；通断控制切换单元，用于调节负载大小控制回路电流与通断，并结合电容的大小冲击被测可控硅，切换被测可控硅的工作象限。本发明提出的测试装置，触发电路结构简单，实现成本较低，可测试单向可控硅、双向可控硅的四个象限，同时使用整流芯片实现交直流转换，降低了测试过程中的应用成本。