半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质

本发明提供了一种半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质，该方法包括：获取不同尺寸的半导体器件的电性参数历史量测数据；根据电性参数历史量测数据构建第一训练样本集，第一训练样本包括小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及大尺寸器件的尺寸数据与第一电性参数量测数据；根据第一训练样本集对第一神经网络模型进行训练，以得到对应的第一电性参数预测模型；将已量测小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及待预测大尺寸器件的尺寸数据输入至第一电性参数预测模型中，以获取待预测大尺寸器件的第一电性参数预测数据。本发明可以基于小尺寸器件的电性参数准确地预测出大尺寸器件的电性参数。