考虑沟道电流应力的SiC MOSFET栅氧层加速退化试验电路及方法

本发明公开了考虑沟道电流应力的SiC MOSFET栅氧层加速退化试验电路及方法，该电路考虑引入沟道电流应力，在功率回路中采用了镜像电流源电路，该电路设计能更全面地模拟实际应用中的工作条件，从而更准确地评估SiC MOSFET的栅氧层可靠性。本发明试验方法使用VDS(ON)作为温敏参数来监测结温，免去了使用额外温度传感器的需要，从而显著降低了试验成本。通过直接从电学参数中提取温度信息，这种策略不仅简化了硬件配置，也提高了实验设置的整体效率和可靠性。此外，它还使得试验过程更加灵活，便于在不同的测试环境和条件下进行快速且准确的温度监测，增强了该加速退化试验方案的实用性。