一种垂直腔面发射激光器及其制造方法

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，可用于半导体器件领域，该激光器包括：衬底、外延结构和模式控制结构；外延结构包括依次设于衬底上的第一型反射镜层、有源层、光电限制层和第二型反射镜层；光电限制层用于限定垂直腔面发射激光器的发光孔径；模式控制结构设于第一型反射镜层和/或第二型反射镜层上，并存在至少部分结构与第一型反射镜层和/或第二型反射镜层电接触，模式控制结构被配置为引入与发光孔径形状相关的泵浦源至第一型反射镜层和/或第二型反射镜层，以使垂直腔面发射激光器在发光孔径的预设点位上不激射或少激射激光。如此，通过模式控制结构控制激光激射状态，提高了激光器芯片的可靠性。