一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法

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一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法
申请号:CN202510685635
申请日期:2025-05-27
公开号:CN120197405B
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种硅通孔的非定常热应力解析模型构建方法,属于微电子技术领域,包括:建立硅通孔的瞬态热传导方程以及温度场边界条件;求解瞬态热传导方程,得到瞬态温度场解析模型,根据瞬态温度场解析模型得到瞬态温度场分布;基于硅通孔的工作环境,建立平衡方程和力学边界条件,根据平衡方程、瞬态温度场解析模型确定硅通孔的位移场和应力场解析模型的基本形式;根据力学边界条件、位移场和应力场解析模型的基本形式,将瞬态温度场与瞬态应力场耦合,得到非定常热应力解析模型;根据非定常热应力解析模型得到非定常热应力。本发明解决了热应力解析模型中未考虑温度场分布和热应力随时间变化的问题,实现了对硅通孔中热应力分布的实时预测。
技术关键词
瞬态温度场 模型构建方法 热传导方程 应力场 特征值 力学 坐标系 拉普拉斯 硅通孔结构 表达式 剪切模量 温差 泊松比 参数 变量 界面
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