摘要
本发明公开了一种高可靠性高性能存储设备,该存储设备的工作过程包括以下步骤:S1、数据写入TLC Flash和SLC/pSLC Flash:分为双通道主控方案和高速单通道主控方案;S2、数据校验:当TLC Flash写入完成时,主控芯片对TLC Flash中的数据进行校验,判断数据是否稳定;S3、数据修复:如果TLC Flash中存在不稳定数据,主控芯片从SLC/pSLC Flash中读取对应数据,替换掉TLC Flash中的不稳定数据。本发明通过双通道主控或高速单通道主控,同时将数据写入TLC Flash和SLC/pSLC Flash,并利用后端多余性能进行数据校验和修复,有效提高了存储设备的性能和可靠性。
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