一种成像式的阵列ICMOS焦面拼接方法

本发明公开了一种成像式的阵列ICMOS焦面拼接方法，解决现有拼接方法无拼接基准可用，以及拼接精度不理想的技术问题。该方法包括：将拼接仪的坐标基准转换到靶板上十字丝的中心点；调平拼接基座；获取所有ICMOS的二维安装坐标；依次获取所有ICMOS的当前最佳焦面位置，并以所有ICMOS的当前最佳焦面位置中最低的一个作为基准焦面位置，并调整其他ICMOS的当前最佳焦面位置，使所有ICMOS最佳焦面位置的共面度符合设计要求；通过检测镜头结合质心算法依次完成所有ICMOS旋转偏差与直线度的调整，从而实现阵列ICMOS焦面拼接。该方法可实现阵列ICMOS焦面的高精度拼接。