一种半导体结构

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一种半导体结构
申请号:CN202510694222
申请日期:2025-05-27
公开号:CN120568760A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本公开是关于一种半导体结构,各拼接区域设置有标记子结构,标记子结构包括设置于各阵列器件层的第一标记子区域的第一标记图案以及设置于各金属层的第二标记子区域的第二标记图案。通过将拼接区域划分为呈方形的第一标记子区域和呈L形的第二标记子区域,并在二者中分别设置第一标记图案和第二标记图案,提升了版图设计的便利性和标记识别的精度。将第一标记图案配置为与对应的阵列器件层在阵列区域中的阵列图案相同,并使得至少部分阵列器件层对应的第一标记图案在垂直于半导体结构的堆叠方向上的投影中至少部分重叠,提升了版图设计和形成第一标记图案的便利性,有利于标记结构的尺寸缩小。
技术关键词
半导体结构 标记 图案 阵列 线条 版图 方形 芯片 存储单元 十字形 直线 顶点 连线 精度 尺寸
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