半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法

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半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法
申请号:CN202510697658
申请日期:2025-05-28
公开号:CN120579443B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法,涉及半导体器件设计技术领域,包括通过在器件网格节点处布置电磁场探测点,建立电磁场能量损耗与温度映射关系,利用多尺度分解网络分析热分布特征,结合递归神经网络预测温度变化趋势,构建材料参数映射关系并优化介电常数和电导率分布,实现了电磁特性与热稳定性的协同优化,有效提高了半导体器件的性能稳定性和可靠性。
技术关键词
分段线性插值方法 协同优化设计方法 半导体器件 热传导 分布特征 参数 损耗 输入多尺度 数据 边界特征 热点 电场探测器 矩阵 双层递归神经网络 磁场探测器 连续性 关系 计算机程序指令
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