一种高精度温度测量校准方法及系统

本发明涉及引信芯片温度测量的技术领域，公开了一种高精度温度测量校准方法及系统；所述校准方法应用于引信芯片温度传感器，具体包括以下步骤：S101：通过双极晶体管结构生成与绝对温度成正比的Vbe电压信号和与温度无关的ΔVbe电压信号，所述双极晶体管结构为对拓扑结构，包括至少两组NPN或PNP型双极晶体管；S102：所述双极晶体管工作于亚阈值区，集电极电流Ic控制在10nA‑100nA，基极‑发射极电压Vbe随温度变化呈近似线性关系。本发明显著提升了温度测量的精度、稳定性和环境适应性，通过电流密度比调节和亚阈值区工作模式，直接生成与温度相关的电压信号，无需依赖外部高精度基准源，从根源上消除基准电压温漂和工艺偏差对系统的影响。