摘要
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种LED芯片及白光LED光源,LED芯片包括衬底及设置于衬底上的外延层,外延层包括发光层,发光层包括沿外延方向依次层叠的第一波长多量子阱层、第二波长多量子阱层、第三波长多量子阱层及第四波长多量子阱层;其中,λ1>λ2>λ3=λ4,且460nm≤λ1≤480nm,445nm≤λ2≤460nm,430nm≤λ3=λ4≤445nm;各个多量子阱层均为由阱层与垒层交替层叠而成的周期性结构,第一波长多量子阱层的垒层及第二波长多量子阱层的垒层中掺杂有Si,第四波长多量子阱层的垒层中掺杂有Mg,第三波长多量子阱层的垒层为未故意掺杂Mg和Si的材料层。本发明的LED芯片作为激发红、绿混合荧光粉层的激发光源,输出的全光谱白光LED光源显色指数更高,同时兼具更高的发光效率。
技术关键词
LED芯片
波长
多量子阱层
白光LED光源
GaN层
外延
周期性结构
发光层
混合荧光粉
应力释放层
绿色荧光粉
红色荧光粉
电子阻挡层
荧光胶层
衬底
层叠
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