一种抗单粒子闩锁工艺指纹提取方法、装置及设备

本发明公开一种抗单粒子闩锁工艺指纹提取方法、装置及设备，涉及集成电路芯片抗辐射能力预测技术领域，用于解决现有技术中无法准确提取抗单粒子闩锁工艺指纹，导致构建的抗辐射性能预测模型精度差的问题。包括：通过电闩锁测试识别敏感区域，定位关键寄生BJT结构，建立关键寄生BJT结构的TCAD模型；基于TCAD模型，通过调节和拉偏不同的工艺参数，进行SEL仿真和电闩锁仿真，得到仿真结果；基于仿真结果，初步确定SEL工艺指纹特征量以及参数影响权重；结合Morris法和Sobol法进行灵敏度分析，确定各SEL工艺指纹特征量的全局影响权重，并优化抗SEL工艺参数。本发明可以构建更为精确的抗辐射性能预测模型，可以进一步更加准确地预测器件在轨道辐射环境中的行为。