一种双电磁屏蔽层的高散热扇出型封装结构及封装方法

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一种双电磁屏蔽层的高散热扇出型封装结构及封装方法
申请号:CN202510708952
申请日期:2025-05-29
公开号:CN120581524A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种双电磁屏蔽层的高散热扇出型封装结构及封装方法。包括芯片,所述的芯片一端表面连接重布线层,芯片其余表面均覆盖电磁屏蔽层一,电磁屏蔽层一上端连接若干垂直引线,垂直引线一侧设有电磁屏蔽层二,电磁屏蔽层二罩在封装结构的外侧。同现有技术相比,在扇出型封装过程中引入溅射内外电磁屏蔽层的方式来实现芯片间的电磁干扰,利用打线技术实现热量通道,更快的实现导热,散热性能显著提升。
技术关键词
扇出型封装结构 电磁 封装方法 引线 重布线层 剥离膜 芯片封装技术 打线技术 凸点 不锈钢 晶圆 导热 矩阵 包裹 间距 通道
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