一种CMOS图像传感器的暗电流像素级抑制电路及方法

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一种CMOS图像传感器的暗电流像素级抑制电路及方法
申请号:CN202510711913
申请日期:2025-05-29
公开号:CN120676262A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器的暗电流像素级抑制电路及方法,属于暗电流像素级抑制技术领域。方法包括不启动暗电流校准,对CMOS图像传感器在暗光下进行温度由高到低的扫描,测量每个温度下对应的暗电流值,得到工作温度范围内温度和暗电流的对应关系;逐级调整暗电流溢出栅的电压值,使得在该温度值下暗电流抵消,形成温度和溢出栅电压对应关系表;启动暗电流校准时,CMOS图像传感器首先进行温度探测,得到当前工作温度;基于所述工作温度和所述温度和溢出栅电压对应关系表调节暗电流溢出栅的开启程度,完成暗电流泄放。通过温度‑暗电流溢出匹配技术和暗电流智能化像素级抑制方法,避免高温下暗电流快速增长造成的暗电流占据光电二极管满阱容量。
技术关键词
暗电流 图像传感器 光电二极管 温度探测 数字转换单元 像素 电压转换单元 晶体管阵列 电流值 温度补偿算法 关系 栅极 满阱容量 校准策略 电路 平行光管
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