一种芯片与陶瓷基板的烧结工艺

本发明一种芯片与陶瓷基板的烧结工艺，包括以下步骤：S1.陶瓷基板上涂覆银膏层；S2.吸嘴吸附保护膜和芯片；S3.吸嘴定位至陶瓷基板的预定区域；S4.吸嘴吸附芯片，使芯片背面与银膏层接触，芯片和保护膜同时贴合至银膏层表面；S5.通过吸嘴施加恒定的温度和压力，使银膏与芯片背面及陶瓷基板形成金属原子迁移条件；S6.保持烧结温度和时间；S7.烧结完成后，移除保护膜，得到芯片与陶瓷基板互联结构。通过集成预烧结和烧结功能于单台设备，采用双真空管路吸嘴实现保护膜与芯片的同步吸附和精准定位，显著缩短了烧结工艺的生产周期，提高了芯片与陶瓷基板互联的精度和可靠性，实现了高效、低成本、高一致性的烧结工艺。