混合波导结构及其制备方法、异质集成光子器件及其制备方法

本发明涉及光子器件技术领域，公开了混合波导结构及其制备方法、异质集成光子器件及其制备方法。混合波导结构的制备方法包括：提供衬底层；形成第一调制结构；形成第一间隔层；形成第一保护层；形成第二包层；形成第二调制结构；形成第二间隔层；形成第二保护层；形成第三包层；形成第一互连结构和第二互连结构；在第一调制结构上方形成第一键合凹槽，在第二调制结构上方形成第二键合凹槽，适于容置不同的异质芯片。本发明能够在同一衬底层上实现多种硅光异质材料与硅光波导器件的结合，每一个调制波导与异质材料的层间间距可以单独控制，CMOS工艺兼容性高，且键合区和非键合区具有结构兼容性，保证硅光器件结构设计和工艺加工的灵活性。