一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络

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一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络
申请号:CN202411867531
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119325261B
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体芯片技术领域,具体涉及一种仿生偏振视觉芯片器件及其制备方法、卷积神经网络。器件包括:采用二维材料制备的多层二维范德华垂直铁电异质结构,该结构包括依次层叠设置的底部电极层、铁电层、中间金属层、绝缘层以及沟道层;沟道层具有各向异性,铁电层通过在偏振光诱导下的极化开关切换,控制沟道层中的电导率大小,用于偏振图像识别。本发明中,采用二维材料制备仿生偏振视觉芯片器件,而二维材料的原子层通过弱范德华力结合,可以相互堆叠形成范德华异质结构而不需要考虑晶格失配的问题,沟道层的各项异性赋予了其偏振敏感性,而铁电层的极化效应可以使得沟道层中电导率大小改变,由此可以实现偏振图像的识别。
技术关键词
芯片器件 二维材料 黑磷沟道层 视觉 异质结构 偏振光 电极 半导体芯片技术 氧化铝绝缘层 多层石墨烯 载玻片 层叠 范德华力 阵列 氧化铪 钛酸钡 氧化钴 记忆 氮化硼
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