一种碳化硅器件仿真模型及其仿真方法

本发明公开了一种碳化硅器件仿真模型及其仿真方法，仿真模型由器件栅极寄生电感、器件栅极内阻、器件栅集极寄生电容、器件栅射极寄生电容、电子电流压控电流源、空穴电流源、器件集电极寄生电阻、器件发射极寄生电感、器件集电极寄生电感、器件集射极寄生电容和器件理想体二极管组成，在应用时，通过静态分析装置和18kV高压动态特性测试平台测试器件各参数数据，将测量数据输入拟合软件中，根据拟合结果确定器件各参数取值，拓宽拟合电压范围，使得该模型可以进行18kV及以下电压等级高压碳化硅器件的仿真，解决了现有的碳化硅器件仿真模型不能仿真6.5kV以上的碳化硅器件，无法满足18kV高压碳化硅器件的仿真需求的技术问题。