一种多腔体氧化镓外延薄膜生长自动化量产装置及其使用方法

本发明公开了一种多腔体氧化镓外延薄膜生长自动化量产装置及其使用方法，生长装置包括滑轨、衬底安装结构、待沉积衬底、若干个HVPE半导体外延生长装置、转运结构和MOCVD外延生长装置，衬底安装结构滑动安装在滑轨上，衬底安装结构上设置有若干个陶瓷支架，待沉积衬底能置放于陶瓷支架上，HVPE半导体外延生长装置位于滑轨上方，衬底安装结构能带动待沉积衬底移动至HVPE半导体外延生长装置的正下方，HVPE半导体外延生长装置下端设置有生长气体喷孔，HVPE半导体外延生长装置内的生长气体能从生长气体喷孔喷出，对待沉积衬底上表面进行初步沉积，转运结构能将待沉积衬底从陶瓷支架取下，并将待沉积衬底置于MOCVD外延生长装置中，MOCVD外延生长装置能对待沉积衬底进行二次沉积。本发明能极大提高氧化镓外延薄膜功能件的制作效率，同时不影响氧化镓外延薄膜功能件的质量。