一种半导体芯片的三温测试方法及装置

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一种半导体芯片的三温测试方法及装置
申请号:CN202510735828
申请日期:2025-06-04
公开号:CN120252965B
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体芯片的三温测试方法及装置,涉及半导体芯片测试技术领域,包括,将初始化参数集输入阻抗温度映射模型,通过宽频阻抗谱分析法进行相位角解析与多频段特征融合,获取芯片结温瞬时值,利用PID控制器对芯片结温瞬时值进行动态补偿,并通过模糊规则库推理引擎映射为执行指令集,通过脉冲宽度调制将执行指令集转换为双向电压信号,驱动半导体制冷片在三温环境下进行双向升降温控制,同步采集实时温变测试数据,本发明通过采用宽频阻抗谱分析结合多频段特征融合技术,能够更准确地获取芯片结温瞬时值,同时利用PID控制器与模糊规则库推理引擎相结合,能够在温度快速变化的情况下迅速做出反应,极大地改善响应能力。
技术关键词
半导体芯片 模糊规则库 PID控制器 递归最小二乘法 测试方法 脉冲宽度调制 结温 温度偏差补偿 增量更新 温控模块 宽频 特征融合技术 动态 基线 半桥驱动电路 参数 芯片封装结构
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