一种碲镉汞台面结的离子注入扩散距离测试方法

一种碲镉汞台面结的离子注入扩散距离测试方法，涉及光电探测技术领域，包括：在离子注入后的碲镉汞芯片上光刻台面图形，制备得到台面阵列；在芯片上沉积钝化层，并通过退火工艺对芯片进行激活处理；在钝化层光刻离子注入扩散距离测试图形结构，制备测试单元；其中，所述离子注入扩散距离测试图形结构包括：高精度对准标记、梯度尺寸标记、多尺寸台面图形、接触孔图形、电极测试图形及地线电极图形；所述测试单元包括用于形成I‑V测试回路的测试电极和地线电极；将测试设备的测试探针连接至对应测试电极和地线电极进行I‑V测试，通过测试电极观察I‑V结果区分离子注入在工艺过程中的扩散情况。本申请提降低了工艺验证成本及周期，提高了流片良率。