一种昼夜过渡区电子密度反演方法

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一种昼夜过渡区电子密度反演方法
申请号:CN202510741670
申请日期:2025-06-05
公开号:CN120596764A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种昼夜过渡区电子密度反演方法,首先从提取不同时刻VLF波传播路径太阳天顶角出发,提出了一种适用于低电离层分段修正电子密度模型,将随天顶角变化的修正电子密度模型引入频域有限元方法,构建了地‑电离层波导VLF波幅度和相位传播数据集,将VLF波仿真和测试数据引入人工智能模型,实现了对修正电子密度参数的反演。本发明通过天顶角和修正电子密度模型的引入,与VLF波传播数值仿真和实验测试相结合,使得构建的人工智能模型能够快速准确地预测电离层D区昼夜过渡区的电子密度。
技术关键词
反演方法 人工智能模型 昼夜 Elman神经网络 电磁波传播路径 反演模型 太阳高度角 数值仿真 传输路径 波导 数据 分段 校正 基准 样本 代表 直线 关系
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