一种铟柱制备方法

本申请公开了一种铟柱制备方法，包括步骤：提供待制备铟柱的芯片，芯片表面形成光刻孔，所述光刻孔暴露底部电极，用于在电极表面制备若干铟柱；在所述芯片形成有光刻孔的一侧表面沉积金属铟，其中，在所述若干光刻孔内形成若干铟柱，在所述芯片光刻胶层表面形成铟膜层；将所述芯片浸泡于剥离溶液中，所述剥离溶液为丙酮、乙醇以及表面活性剂的混合溶液；利用超声波去除所述光刻胶和所述芯片表面的铟膜层。本申请提供的铟柱制备方法，提高了铟剥离的效率与合格率，避免了铟剥离过程中铟皮碎屑残留的产生。