一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法

本申请提供了一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法。其中，透明导电材料层的蚀刻方法包括在透明导电材料层的表面依次进行涂光刻胶、曝光、显影和第一次坚膜，得到具有第一预设图形的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，对透明导电材料层进行n次蚀刻，以形成透明导电层，n≥2，且n为正整数；在蚀刻液中增加第一溶液使蚀刻液的表面张力逐次降低，改善蚀刻液的浸润性，使得蚀刻更加均匀，蚀刻角度比较平缓，避免蚀刻后边缘产生毛刺。LED芯片的制作方法采用上述的蚀刻方法，LED芯片上采用上述的LED芯片的制作方法。