基于金属屏蔽环对单端硅通孔结构进行优化的方法

本发明涉及一种基于金属屏蔽环对单端硅通孔结构进行优化的方法，所述方法包括如下步骤：环信号通孔设置接地的金属屏蔽环，用于抑制电磁泄露与耦合串扰；构建RLCG等效电路模型，用于描述硅通孔在频域下的信号传输行为。本发明能够有效抑制相邻通道之间的电磁干扰，降低耦合串扰影响，从而提升信号传输质量与系统的整体可靠性。