一种量子芯片的制备方法及量子芯片

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种量子芯片的制备方法及量子芯片。包括：提供一第一芯片结构，所述第一衬底上形成有第一超导金属层和形成于所述第一超导金属层上的量子芯片电路；提供一第二芯片结构，包括；提供一第二衬底；在所述第二衬底上生长第二超导金属层；并在所述第二超导金属层上生成隔离层和连接层；将所述第一芯片结构与所述第二芯片结构进行连接，使所述连接层、所述隔离层均与所述第一超导金属层连接，以及使所述隔离层对所述量子芯片电路的器件形成独立隔离。通过在芯片结构中设置隔离层和连接层，将比特间的串扰信号进行有效的隔离和屏蔽，显著提升芯片性能。