高能效数模混合CMOS模拟退火伊辛芯片及其用途

本发明提出一种高能效数模混合CMOS模拟退火伊辛芯片及其用途，包括处理器核心、分别与处理器核心连接用于数据的读取和写入的SRAM外围读写驱动电路以及用于读取自旋态比特信息的自旋状态读出电路，处理器核心包括有若干处理单元，若干处理单元采用王图的方式进行布局，相邻的处理单元采用顶层拼接的方式进行连接。本发明利用数模混合计算模式提高能量效率，利用延时链共用策略提高面积效率。