iRDIMM存储访问方法及系统

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iRDIMM存储访问方法及系统
申请号:CN202510765306
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120277012B
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种iRDIMM存储访问方法及系统,该iRDIMM存储访问方法包括:检测多个存储单元的存储情况;在根据存储情况检测到多个存储单元中存在弱存储单元时,将弱存储单元地址写入地址映射表的被映射地址,将预留存储单元地址写入地址映射表的映射地址,以在访问弱存储单元地址时,根据弱存储单元地址及地址查询表,访问预留存储单元地址;其中,地址查询表包括弱存储单元索引表及弱存储单元映射表,弱存储单元索引表用于查询弱存储单元地址;地址映射表用于存储弱存储单元地址与映射地址之间的对应关系;预留存储单元地址指示的存储区域位于DRAM芯片的预留空间。本发明提高了内存可靠性,可以减少在应用端产生错误。
技术关键词
失效存储单元 存储访问方法 DRAM芯片 非易失性存储器 地址映射表 存储访问系统 频率 数据保留时间 访问存储单元 预警模块 索引表 处理器 关系 内存 信号
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