摘要
本发明公开一种iRDIMM存储访问方法及系统,该iRDIMM存储访问方法包括:检测多个存储单元的存储情况;在根据存储情况检测到多个存储单元中存在弱存储单元时,将弱存储单元地址写入地址映射表的被映射地址,将预留存储单元地址写入地址映射表的映射地址,以在访问弱存储单元地址时,根据弱存储单元地址及地址查询表,访问预留存储单元地址;其中,地址查询表包括弱存储单元索引表及弱存储单元映射表,弱存储单元索引表用于查询弱存储单元地址;地址映射表用于存储弱存储单元地址与映射地址之间的对应关系;预留存储单元地址指示的存储区域位于DRAM芯片的预留空间。本发明提高了内存可靠性,可以减少在应用端产生错误。
技术关键词
失效存储单元
存储访问方法
DRAM芯片
非易失性存储器
地址映射表
存储访问系统
频率
数据保留时间
访问存储单元
预警模块
索引表
处理器
关系
内存
信号
系统为您推荐了相关专利信息
上电保护方法
标志位
读取配置文件
非易失性存储器
计数器
多尺度三维
温度预测方法
回转窑
卷积模型
像素阵列
存储器控制器
管理数据完整性
存储设备
逻辑
验证数据完整性
训练样本数据
异构
数据存储系统
存储资源调度方法
数据生成模型