一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统

本发明公开了一种功率半导体器件芯片有源区温度分布模拟测试方法及系统，根据功率半导体器件芯片有源区元胞信息，设计金属图案掩膜版；选择完成半导体多层结构生长且表面半导体层未被掺杂的半导体晶片，沉积金属图案；基于共焦拉曼光谱仪和热台，标定芯片样品表面半导体层的拉曼特征温度曲线；将芯片样品底面与器件封装散热结构连接，将芯片样品表面的金属图案接入直流电源回路；调节直流电源输出，模拟芯片样品有源区热源产热并达到目标产热功率；依据标定的拉曼特征温度曲线，测量芯片样品有源区的温度分布。本发明能够在功率半导体器件设计制造过程中实现芯片有源区结温及温度分布的模拟测试，实验评估功率半导体器件热设计的实际性能。