用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质

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用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质
申请号:CN202510771784
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120299545B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例提供了用于仿真晶圆处理过程的方法、设备和介质。在该方法中,针对晶圆的电化学沉积过程中的时刻,基于晶圆的沉积状态,从电化学沉积过程的多个处理阶段中确定该时刻要对晶圆进行的目标处理阶段。基于晶圆的特征结构信息和与电化学沉积过程有关的工艺参数,对目标处理阶段进行仿真,以确定与该时刻对应的针对电化学沉积速度的仿真结果。基于针对多个时刻分别确定的多个仿真结果,确定工艺参数的目标参数值。
技术关键词
晶圆处理过程 阶段 参数 仿真模型 因子 处理单元 芯片 数值 蒙特卡洛 电子设备 可读存储介质 存储器 速度 指令 计算机 处理器 算法
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