半导体结构及其制作方法和半导体组件

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半导体结构及其制作方法和半导体组件
申请号:CN202510772023
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120657021A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本公开是关于一种半导体结构及其制作方法和半导体组件,半导体结构包括:阵列排布的多个芯片单元,所述芯片单元包括:衬底;多个焊盘,设置于所述衬底内,所述多个焊盘包括多个有源焊盘和多个冗余焊盘;其中,所述芯片单元包括第一区域和第二区域,所述第一区域内的所述有源焊盘的数量大于所述第二区域内的所述有源焊盘的数量;所述焊盘具有表面面积,所述表面面积为所述焊盘经所述衬底露出的顶表面的面积,位于所述第二区域内的任一所述焊盘的表面面积大于位于所述第一区域内的任一所述焊盘的表面面积,本公开有利于提高半导体结构的电学性能和良率。
技术关键词
半导体结构 焊盘 半导体组件 芯片 衬底 冗余 密封圈 阵列 基底 曲面 波浪形 直线 机械
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