在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯

本发明提供了一种在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯，所述方法包括如下步骤：步骤S1，在干净的Au(111)基底上制备少层FeO材料，得到少层FeO基底；步骤S2，在所述少层FeO基底上沉积前体分子，所述前体分子为1,3,5‑三(4‑碘苯基)苯；步骤S3，加热前体分子，使其发生乌尔曼偶联反应，沿着基底表面外延生长沉积，得到单层二维多孔石墨烯；步骤S4，退火处理，去掉FeIX。采用本发明的技术方案得到单层多孔石墨烯，构建了半导体/有机物的异质结构，方法简单，有望被应用于气体传感、生物分子检测、光电探测器等传感芯片。