摘要
本发明涉及射频集成电路与先进半导体封装技术领域,尤其涉及基于RDL工艺的多层螺旋电感结构及制备方法,制备方法包括种子层沉积、光刻电镀形成梯度线宽线圈、交替介质层沉积、通孔刻蚀形成垂直互连铜柱、光刻胶牺牲层工艺成型空气桥及氮化硅钝化封装。本发明通过扇形拓扑布局、介质材料协同优化及三维互连结构设计,有效提升自谐振频率带宽、降低导体与介电损耗,实现高频电感元件的小型化集成与高可靠性。
技术关键词
多层螺旋电感
电镀铜柱
垂直互连通道
线圈
牺牲层工艺
空气桥结构
光刻工艺
电磁场仿真
光刻胶
亚微米级
介质
补偿算法
氮化硅钝化层
聚合物材料
半导体封装技术
射频集成电路
电镀铜工艺
干法刻蚀工艺
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