多芯片连接结构的制备方法

本发明属于芯片技术领域，具体涉及多芯片连接结构的制备方法。步骤：在基材上涂覆释放层和粘合层；芯片上有铜柱凸点，芯片临时键合在粘合层上，控制部分的铜柱凸点嵌入粘合层；在粘合层上形成塑封层，塑封层包裹芯片和剩余部分的铜柱凸点，芯片和塑封层共同构成模块一；剥离粘合层，嵌入粘合层的铜柱凸点暴露在外，在模块一有铜柱凸点的那一面沉积非金属介质材料修饰铜柱凸点，铜柱凸点两侧不再暴露，将铜柱凸点剩余的暴露面与TSV中介层进行铜‑铜键合；去除TSV中介层多余的硅衬底，得到模块二，在模块二底部构建完整的RDL层，在完整的RDL层表面制作凸块。本发明提高了制备多芯片连接结构的焊接可靠性、信号完整性、散热性能。