基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法

本发明涉及射频集成电路与先进半导体封装技术领域，尤其涉及基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法，包括衬底、复合介电层、温度传感器、信号处理模块及补偿模块。复合介电层由氮化硅与氧化铝交替堆叠构成，电极轮廓通过三维电磁场仿真生成弧形曲率半径与侧壁倾角参数，机器学习模型基于漏电流实测数据优化掩模设计与刻蚀工艺参数，降低边缘漏电流密度。各模块通过RDL工艺实现高密度互连，兼容现有封装流程，系统性解决射频电路中电容温度系数不可控导致的相位同步误差与高频信号失真问题。