晶圆切割过程中崩边缺陷的预测与补偿方法

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了晶圆切割过程中崩边缺陷的预测与补偿方法，该方法包括获取晶圆切割初始方案和历史切割数据，提取崩边关键参数，定义边缘脆弱度函数并建立高风险区域空间映射模型；依据实时切割位置，通过三级监测模式采集多维数据，判定轨迹异常偏移状态，构建崩边风险评估模型并预警；触发预警后制定补偿方案，实施切割并验证效果；本发明融合多维度数据，动态划定风险区域，实现切割参数自适应调整，显著提升晶圆切割成品率。