联合测试系统、碳化硅超表面光栅检测方法及测试装置

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联合测试系统、碳化硅超表面光栅检测方法及测试装置
申请号:CN202510788622
申请日期:2025-06-13
公开号:CN120294016B
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了联合测试系统、碳化硅超表面光栅检测方法及测试装置,属于半导体检测技术领域。通过调控光源与微波源生成协同激励信号,施加于待测碳化硅超表面光栅形成光强与微波场干涉图样。多通道同步采集数据,经时间对齐、标记物特征提取及坐标映射构建多维矩阵,提取缺陷特征建立基准模型,计算偏离度判定质量,对缺陷光栅通过筛选异常点、构建候选区域及耦合验证划分潜在缺陷区域。针对潜在缺陷区域,以梯度下降算法动态调整激励参数,结合特征缺陷度与面积划分缺陷等级。本发明解决了单一模态检测不足、多模态对齐精度低及激励参数盲目调整问题,实现跨频段协同检测与智能分级,提升检测可靠性。
技术关键词
联合测试系统 超表面 场强数据 碳化硅 图样 光栅 矩阵 光强 微波场 坐标 微波相位 信号 梯度下降算法 异常点 多通道同步采集数据 分布特征 调控光波 微波源
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