一种碳化硅半桥器件及其制造方法

本发明公开了一种碳化硅半桥器件及其制造方法，所述模块包括两块相对设置的上桥铜基板、下桥铜基板，两块铜基板的内侧均设置有一颗碳化硅MOSFET芯片和两个覆铜陶瓷片，覆铜陶瓷片用于电气绝缘、电气连接和电极引出，下桥铜基板上与上桥芯片源极相连的覆铜陶瓷片内部设置有通孔，用于对该覆铜陶瓷片的正反两面进行电气连接，从而形成一个半桥电路拓扑。本发明焊接工艺简洁，碳化硅MOSFET芯片的正面焊接采用“凸点+回流焊”方案，便于焊接和组装。